AI、MI系列智能型電動執(zhí)行機構(gòu)是我公司在引進英國ROTORK公司A、M系列產(chǎn)品的基礎上，采用當今*先進的超大規(guī)模集成電路研制而成的新一代智能化、數(shù)字化、多功能的電動執(zhí)行機構(gòu)。
產(chǎn)品執(zhí)行標準：Q/YXBM 470 -2006《AI、MI智能型電動執(zhí)行機構(gòu)及隔爆智能型電動執(zhí)行機構(gòu)》。
AI、MI智能型電動執(zhí)行機構(gòu)的工作原理：
AI、MI系列智能型電動執(zhí)行機構(gòu)由三相異步電動機驅(qū)動，通過蝸輪蝸桿減速，帶動空心輸出軸輸
出轉(zhuǎn)矩。減速器具有手/電動切換機構(gòu)，當切換手柄處于手動位置時，手輪通過離合器帶動空心輸出軸轉(zhuǎn)動；電動操作時，切換機構(gòu)將自動回落至電動位置，離合器和蝸輪嚙合，由三相電機驅(qū)動空心輸出軸轉(zhuǎn)動。
執(zhí)行機構(gòu)輸出軸的轉(zhuǎn)動通過增速機構(gòu)傳至霍耳效應脈沖式傳感器，而電機蝸桿軸向力產(chǎn)生的軸向
位移傳到機械式的力矩控制機構(gòu)（開關(guān)機構(gòu)）上，以實現(xiàn)閥位和力矩的控制。
電動執(zhí)行機構(gòu)的智能控制器接受標準模擬電流控制信號或開關(guān)量控制信號或總線信號，將執(zhí)行機
構(gòu)的輸出軸定位于和輸入信號相對應的位置上；又可以根據(jù)聯(lián)鎖控制、兩線控制或緊急ESD事件信號定位于控制系統(tǒng)預先設置的位置。
AI、MI智能型電動執(zhí)行機構(gòu)的主要特點：
經(jīng)典的機械式力矩保護裝置，工作穩(wěn)定可靠
霍耳效應脈沖式傳感器精度高，適應性強
采用超大規(guī)模集成芯片，使執(zhí)行機構(gòu)具備了強大的功能
提供中、英文菜單。可通過遙控器進行設定調(diào)試，操作簡單方便
非侵入式設計——采用雙密封結(jié)構(gòu)、殼體無貫通軸設計，
調(diào)試時無需打開控制箱罩蓋，防護等級達到IP68
工作制： 1)AI（S2可逆、斷續(xù)運行，25%的接通持續(xù)率，接通次數(shù)≤630次/小時）
2)MI（S4可逆、斷續(xù)運行，25%的接通持續(xù)率，630次/小時≤接通次數(shù)≤1200次/小時）
輸入信號： 1）模擬信號：4～20mA.DC 輸入阻抗250Ω
2）脈沖開關(guān)量信號≥150ms
3）Profibus-DP、HART（可選）
輸出信號： 1）4-20mA.DC 負載阻抗≤750Ω
2）Profibus-DP、HART（可選）
機械輸出： 1）AI多轉(zhuǎn)式 ≥6圈
2）MI多轉(zhuǎn)式 ≥6圈
3）AI角行程 0～90°
4）MI角行程 0～90°
5）MIL直行程 ≤100mm
34～8000Nm
17～544Nm
300～60000Nm
116～6884Nm
7.94～41.4kN
基本誤差： 1）AI、MI多轉(zhuǎn)式電動執(zhí)行機構(gòu) ≤±1%
2）AI、MI角行程電動執(zhí)行機構(gòu) ≤±1%
3）MIL直行程電動執(zhí)行機構(gòu)（行程≥25mm）≤±1%
死區(qū)：
0.1～9.9%可調(diào)（默認設置為0.5%）
技術(shù)參數(shù)
中途限位：
1）開限位設置范圍為 60%～100%
2）關(guān)限位設置范圍為 0%～40%
機械間隙：
1）AI、MI多轉(zhuǎn)式電動執(zhí)行機構(gòu) ≤1°
2）AI、MI角行程電動執(zhí)行機構(gòu) ≤1°
3）MIL直行程電動執(zhí)行機構(gòu)（行程≥25mm）≤1mm
禁止運行時間：0～99秒可調(diào)
供電電源：三相三線制，380V.AC±10%，50Hz±1%
防爆等級： 1）遙控器——本質(zhì)**型 ExibⅡBT4
（隔爆型 2）執(zhí)行機構(gòu)———隔爆型 ExdⅡBT4
輸出觸點容量：250V.AC，5A； 30V.DC，5A（總線產(chǎn)品為220V.AC，0.5A；30V.DC，1A）
環(huán)境條件：
1）環(huán)境溫度：-25℃～+70℃（隔爆型為-20℃～+60℃）
2）相對濕度：5%～95%
3）大氣壓力：86～106kPa
4) 空氣介質(zhì)：周圍空氣中無腐蝕性氣體
抗干擾指標：
1）外磁場 ≤400A/m，50Hz
2）共模干擾 250V，50Hz
3）串模干擾 有效值為1V的交流信號 頻率為50Hz，相位0～360°
4）靜電放電： 4kV
5）電快速瞬間脈沖群：電源端1000V；信號輸入端：500V
6）射頻干擾： 頻率80～1000MHz 試驗場強3V/m, 距離1m
7）浪涌干擾： 1kV
注：如果您有其它技術(shù)要求，請與我們聯(lián)系，我們將盡力滿足您。
